ИСТИНА

• Члены программного комитета: Бушуев В.А., Иконников А.В., Хохлов Д.Р.
• Охват: Международная
• Даты проведения: 14-18 марта 2016
• Место проведения: Нижний Новгород, Russia
• Организатор:
  Институт физики микроструктур РАН
• Число участников: 400
• Число иностранных участников: 40
• Число участников из МГУ: 15
• Число докладчиков: 200
• Веб-сайт: http://nanosymp.ru/ru/archive
• Добавил в систему: Бушуев Владимир Алексеевич

Доклады:

• 2016 On magnetic properties of Me-doped titanium dioxide (Me=Co, V, Fe, Mn) (Приглашенный)
• Авторы: Perov N., Semisalova A.S., Orlov A., Smekhova A., Anwand W., Potzger К., Granovsky A.B., Gan'shina Е.A.

• 2016 Аналитические выражения для характеристик ПТ СКВИДа с ненулевой индуктивностью (Устный)
• Авторы: Соловьев И.И., Кленов Н.В., Куприянов М.Ю., Бакурский С.В., Щеголев А.Е.

• 2016 Анизотропия магнитооптического отклика двумерных периодических наноструктур на основе пермаллоя (Стендовый)
• Авторы: Колмычек И.А., Крутянский В.Л., Мурзина Т.В., Tahir N., Adeyeye A., Maziewski A.

• 2016 Влияние пространственной когерентности нейтронного пучка на дифракцию на движущейся фазовой решетке (Устный)
• Авторы: Франк А.И., Бушуев В.А.

• 2016 Влияние пространственной когерентности нейтронного пучка на дифракцию на движущейся фазовой решетке. (Приглашенный)
• Авторы: Франк А.И., Бушуев В.А.

• 2016 Влияние эффектов пространственной симметрии на пленение заряда в системах связанных квантовых точек (Стендовый)
• Авторы: Манцевич В.Н., Арсеев П.И., Маслова Н.С.

• 2016 Измерение слабых магнитных полей с помощью рассеяния баллистических флаксонов (Стендовый)
• Авторы: Соловьев И.И., Кленов Н.В., Кузьмин Л.С., Ильичев Е.В., Панкратов А.Л.

• 2016 Кинетика спектра задержанной фотопроводимости Pb1-xSnxTe(In) (Устный)
• Авторы: Черничкин В.И., Долженко Д.Е., Галеева А.В., Хохлов Д.Р., Слынько Е.И., Рябова Л.И., Никорич А.В.

• 2016 Композитные структуры на основе полимерных материалов и коллоидных нанопластинок CdSe для устройств энергонезависимой памяти (Стендовый)
• Авторы: Дроздов К.А., Дронов М.А., Васильев Р.Б., Дубинина Т.В., Котова М.С.

• 2016 Магнитоплазмонные кристаллы: линейные и нелинейные магнитооптические эффекты (Приглашенный)
• Авторы: Колмычек И.А., Чехов А.Л., Мурзина Т.В., Крутянский В.Л., Стогний А.И., Найденов П.Н.

• 2016 Манипуляция единичными атомами Co, имплантированными в подповерхностные слои Ge(111)2×1 (Устный)
• Авторы: Музыченко Д.А., Van Haesendonck C., Schouteden K.

• 2016 Микромагнетизм в магнитоэлектрических материалах и мультиферроиках (Приглашенный)
• Авторы: Пятаков А.П., Белотелов В.И., Сергеев А.С., Звездин А.К., Пятакова З.А., Николаев А.В., Косых Т.Б., Николаева Е.П.

• 2016 Нестационарное преобразование энергии нейтронов при дифракции на движущейся решетке (Приглашенный)
• Авторы: Франк А.И., Кулин Г.В., Бушуев В.А.

• 2016 Нестационарное преобразование энергии нейтронов при дифракции на движущейся решетке. (Пленарный)
• Авторы: Франк А.И., Кулин Г.В., Бушуев В.А.

• 2016 Нуклеация доменов в тонкой сверхпроводящей пленке, входящей в состав слабой связи джозефсоновской 0-π-гетероструктуры (Стендовый)
• Авторы: Бакурский С.В., Соловьев И.И., Голубов А.А., Куприянов М.Ю., Кленов Н.В.

• 2016 Оптимизация работы адиабатического сдвигового регистра на основе элементарной ячейки - биСКВИДа с пи-контактом (Стендовый)
• Авторы: Щеголев А.Е., Кленов Н.В., Соловьев И.И.

• 2016 Рост ниобий- и молибденсодержащих островковых наноструктур на поверхности Si(111)7×7 (Устный)
• Авторы: Уставщиков С.С., Ромашкин А.В., Аладышкин А.Ю., Путилов А.В., Музыченко Д.А.

• 2016 Управление оптическими свойствами плазмонных гетероструктур (Приглашенный)
• Автор: Белотелов В.И.

• 2016 Управление состояниями потокового кубита одиночными одноквантовыми импульсами (Устный)
• Авторы: Кленов Н.В., Соловьев И.И., Тихонова О.В., Бакурский С.В., Куприянов М.Ю., Кузнецов А.В.

• 2016 Физические основы создания энергоэффективной сверхпроводниковой элементной базы для реализации нейросетевых алгоритмов (Стендовый)
• Авторы: Кленов Н.В., Терешонок М.В., Щеголев А.Е., Соловьев И.И.

• 2016 Электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах (Bi1-xInx)2Se3 и Pb1-ySnySe под действием терагерцевого лазерного излучения (Стендовый)
• Авторы: Галеева А.В., Егорова С.Г., Черничкин В.И., Румянцев В.В., Морозов С.В., Хохлов Д.Р., Яшина Л.В., Plank H., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Тамм М.Е.