ИСТИНА

Интегральная микросхема позволяет регистрировать ионизирующее излучение и заряженные частицы большой энергии и может быть использована для проведения экспериментальных исследований воздействия тяжелых заряженных частиц на электронную компонентную базу, в т.ч. космического применения и другие материалы при эксплуатации в условиях, имитирующих радиационное воздействие космического пространства. Включает диоды, которые в режиме обратного смещения обеспечивают регистрацию ионизирующего излучения и заряженных частиц, группу охранных колец, каждое из которых обеспечивает изоляцию внутренней структуры микросхемы от края, вскрытия в тонком окисле для обеспечения устойчивого и омического контакта между компонентами микросхемы и контактные площадки для монтажа микросхемы в аппаратуру или корпус. Связь между элементами обеспечена слоем металлизации, которая позволяет объединить матрицы высоковольтных обратно смещенных P-i-N диодов параллельно для обеспечения большой чувствительной площади (4 + 6 см^2 ), матрица изготовлена по планарной технологии из высокоомного и сверхчистого кремния бестигельной зонной плавки. Топология микросхемы позволяет разделять центральные и периферийные события.