|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Deposition of stoichiometric Bi2Se3 film by vacuum-thermal treatment of Se/Bi heterostructureстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 13 февраля 2018 г.
- Авторы: Kogai V.Ya, Mikheev K.G., Mikheev G.M.
- Журнал: Technical Physics Letters
- Том: 43
- Номер: 8
- Год издания: 2017
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 701
- Последняя страница: 704
- DOI: 10.1134/S1063785017080107
- Аннотация: The possibility of obtaining a stoichiometric Bi2Se3 film by vacuum-thermal treatment of a Se/Bi heterostructure is demonstrated for the first time. It was found that a stoichiometric Bi2Se3 film can be only produced at a certain ratio of the Se and Bi film thicknesses (d (Se)/d (Bi) = 3.13). X-ray-diffraction analysis and Raman spectroscopy were used to study the phase transformations in a Se(141 nm)/Bi(45 nm) heterostructure upon its thermal treatment in a vacuum. The phase transition temperatures at which various crystalline phases are formed were determined. It is shown that Bi2Se3 crystallizes in the Se(141 nm)/Bi(45 nm) heterostructure heated to 493 K in conformity with an exponential law, with a characteristic time in which the equilibrium state is attained equal to 20 min.
- Добавил в систему: Михеев Константин Георгиевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | tepl701-article-angl.pdf | 438,7 КБ | 13 февраля 2018 [k.mikheev] |