Electrochemical nanostructuring of semiconductors by capillary-cell method

Taurbayev, Y.T.; Gonchar, K.A.; Zoteev, A.V.; Timoshenko, V.Y.; Zhanabayev, Z.Z.; Nikulin, V.E.; Taurbayev, T.I.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 апреля 2015 г.

Авторы: Taurbayev Y.T., Gonchar K.A., Zoteev A.V., Timoshenko V.Yu, Zhanabayev Z.Zh, Nikulin V.E., Taurbayev T.I.
Журнал: Key Engineering Materials
Том: 442
Год издания: 2010
Издательство: Trans Tech Publications Ltd.
Местоположение издательства: Germany
Первая страница: 1
Последняя страница: 6
DOI: 10.4028/www.scientific.net/KEM.442.1
Аннотация: Wafers of silicon and compound semiconductors are nanostructured by using electrochemical or chemical etching (stain etching) in etching cell with electrolyte kept by capillary forces. Atomic force microscopy, infrared spectroscopy and Raman scattering methods reveale nanoporous and nanocrystalline structure of the treated surfaces. The formed porous semiconductors demonstrate efficient photoluminescence, which is controlled by etching parameters, i.e. current density, electrolyte content, etc. These results indicate good prospects of the employed capillary-cell method for preparing nanostructured porous materials with desired structure and optical properties.
Добавил в систему: Гончар Кирилл Александрович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Electrochemical nanostructuring of semiconductors by capillary-cell methodстатья

Прикрепленные файлы