|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Dependence of dielectric constant of SiOCH low-k films on porosity and pore sizeстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 мая 2015 г.
- Авторы: Palov Alexander, Rakhimova Tatiana V., Krishtab Mikhail B., Baklanov Mikhail R.
- Журнал: Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
- Том: 33
- Номер: 2
- Год издания: 2015
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 020603
- Последняя страница: 020605
- DOI: 10.1116/1.4906816
- Аннотация: A simple, clear, and robust numerical approach to calculate dielectric constant of porous organosilicate (SiOCH) based films with arbitrary shaped pores is proposed. The calculations are based on modified Clausius–Mossotti equation and can be applied for the films with wide range of porosity (0.01–0.96) and pore size (0.5–5 nm). The dielectric constants calculated in assumption of preferential localization of CH3 groups on pore wall are in good agreement with the experimentally measured k-values. The advantage of the proposed calculation model is ability to analyze the dependence of dielectric constant on pore size.
- Добавил в систему: Палов Александр Петрович