Дефектообразование в кристаллах Gd3AlxGa5-xO12 (x=1÷3) и Gd3Al2Ga3O12:Ce

Касимова, В.М.; Козлова, Н.С.; Забелина, Е.В.; Бузанов, О.А.; Быков, А.С.; Скрылева, Е.А.; Спасский, Д.А.

Авторы: Касимова В.М., Козлова Н.С., Забелина Е.В., Бузанов О.А., Быков А.С., Скрылева Е.А., Спасский Д.А.
Журнал: Неорганические материалы
Том: 59
Номер: 8
Год издания: 2023
Первая страница: 871
Последняя страница: 877
DOI: 10.31857/S0002337X23080055
Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований процессов дефектообразования и его влияния на оптические свойства кристаллов гадолиний-алюминий-галлиевых гранатов с частичным замещением галлия на алюминий в катионной подрешетке: Gd3AlGa4O12 (Al : Ga = 1 : 4), Gd3Al2Ga3O12 (Al : Ga = 2 : 3) и Gd3Al3Ga2O12 (Al : Ga = 3 : 2), а также кристаллов Gd3Al2Ga3O12:Сe3+ (Al : Ga = 2 : 3, легированных церием). Результаты, полученные методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и рентгенофлуоресцентного анализа, свидетельствуют о дефиците галлия по отношению к стехиометрическому составу во всех исследованных кристаллах. На основе результатов исследований рассматриваются процессы возникновения ростовых структурных точечных дефектов в кристаллах гадолиний-алюминий-галлиевого граната. Преобладающими точечными дефектами являются F-центры, также показано образование дефектов типа Шоттки и V-центров. Показано, что при легировании гранатов ионами церия также возможно образование дополнительных F-центров за счет введения церия. Установлено изменение коэффициентов преломления и показателей ослабления в зависимости от соотношения Al : Ga и легирования церием.
Добавил в систему: Спасский Дмитрий Андреевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Дефектообразование в кристаллах Gd3AlxGa5-xO12 (x=1÷3) и Gd3Al2Ga3O12:Ceстатья

Прикрепленные файлы