|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Weakening of Hardness and Modulus of the Si Lattice by Hydrogen Implantation for Layer Transfer in Wafer Bonding Technologyстатья
- Авторы: Gu Diefeng, Baumgart H., Bourdelle Konstantin, Celler George K., Elmustafa Abdelmageed
- Журнал: ECS Transactions
- Том: 16
- Номер: 8
- Год издания: 2008
- Издательство: Electrochemical Society, Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 385
- Последняя страница: 391
- DOI: 10.1149/1.2982891
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович