|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electrical Characterization of TbScO<sub>3</sub>/TiN Gate Stacks of MOS Capacitors and MOSFETs on Strained and Unstrained SOIстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Durğun Özben Eylem, Nichau Alexander, Lopes J.Marcelo J, Lenk Steffi, Besmehn Astrid, Bourdelle Konstantin K., Zhao Qing-Tai, Schubert Jürgen, Mantl Siegfried
- Журнал: ECS Transactions
- Том: 33
- Номер: 3
- Год издания: 2010
- Издательство: Electrochemical Society, Inc.
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 195
- Последняя страница: 202
- DOI: 10.1149/1.3481606
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович