Rare-earth oxide/TiN gate stacks on high mobility strained silicon on insulator for fully depleted metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

Rare-earth oxide/TiN gate stacks on high mobility strained silicon on insulator for fully depleted metal-oxide-semiconductor field-effect transistorsстатья

Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Авторы: Durğun Özben E., Lopes J.M.J, Nichau A., Lupták R., Lenk S., Besmehn A., Bourdelle K.K., Zhao Q.T., Schubert J., Mantl S.
Журнал: Journal of Vacuum Science & Technology B
Том: 29
Номер: 1
Год издания: 2011
Издательство: AIP Publishing
Местоположение издательства: United States
DOI: 10.1116/1.3533760
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович