Integration of $\hbox{LaLuO}_{3} \ (\kappa \sim \hbox{30})$ as High-$\kappa$ Dielectric on Strained and Unstrained SOI MOSFETs With a Replacement Gate Process

Durgun, O.E.; Mantl, S.; Lopes, J.M.; Nichau, A.; Schnee, M.; Lenk, S.; Besmehn, A.; Bourdelle, K.K.; Zhao, Q.T.; Schubert, J.

Integration of $\hbox{LaLuO}_{3} \ (\kappa \sim \hbox{30})$ as High-$\kappa$ Dielectric on Strained and Unstrained SOI MOSFETs With a Replacement Gate Processстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Авторы: Durgun Ozben E., Mantl S., Lopes J.M.J, Nichau A., Schnee M., Lenk S., Besmehn A., Bourdelle K.K., Zhao Q.T., Schubert J.
Журнал: IEEE Electron Device Letters
Том: 32
Номер: 1
Год издания: 2011
Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
Первая страница: 15
Последняя страница: 17
DOI: 10.1109/led.2010.2089423
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Integration of $\hbox{LaLuO}_{3} \ (\kappa \sim \hbox{30})$ as High-$\kappa$ Dielectric on Strained and Unstrained SOI MOSFETs With a Replacement Gate Processстатья