|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Rare-Earth Scandate/TiN Gate Stacks in SOI MOSFETs Fabricated With a Full Replacement Gate Processстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Durgun Ozben Eylem, Mantl Siegfried, Lopes Joao Marcelo J., Nichau Alexander, Luptak Roman, Lenk Stteffi, Besmehn Astrid, Bourdelle Konstantin K., Zhao Qing-Tai, Schubert Jurgen
- Журнал: IEEE Transactions on Electron Devices
- Том: 58
- Номер: 3
- Год издания: 2011
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 617
- Последняя страница: 622
- DOI: 10.1109/ted.2010.2096509
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович