Контраст изображений примесных областей в полупроводниковых кристаллах в растровом электронном микроскопестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Аннотация:Представлен критический обзор современного состояния проблемы визуализации локальных примесных областей в полупроводниковых кристаллах в РЭМ. предложено новое физико-техническое решение мониторинга распределения примесей в легированных областях, позволяющее в разы увеличить контраст изображения примесных участков в широком диапазоне концентраций.