|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InPстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Васильев А.Л., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Климов Е.А., Ковальчук М.В., Пономарев Д.С., Роддатис В.В., Субботин И.А.
- Журнал: Кристаллография
- Том: 56
- Номер: 2
- Год издания: 2011
- Издательство: ФГУП Издательство «Наука»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 324
- Последняя страница: 335
- Добавил в систему: Ковальчук Михаил Валентинович