|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Shock compressibility of single-crystal silicon in the pressure range 280-510 GPaстатья
- Авторы: Nikolaev D.N., Kulish M.I., Dudin S.V., Mintsev V.B., Lomonosov I.V., Fortov V.E.
- Журнал: High Temperature
- Том: 60
- Номер: 3
- Год издания: 2021
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: s55
- Последняя страница: s59
- DOI: 10.1134/S0018151X2106016X
- Аннотация: The shock compressibility of single-crystal silicon is experimentally studied in the pressure range of 280 to 510 GPa. Shock waves are created using Mach’s explosive cumulative generators. The parameters of shock waves are determined by the impedance matching method, and single-crystal quartz is used as a reference substance. The results agree well with the ab initio calculations and with the data obtained using laser shock waves (silicon, shock wave, shock adiabat, Mach generator).
- Добавил в систему: Николаев Дмитрий Николаевич