|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Профили радиационных дефектов в кремнии и арсениде галлия, облученных ионами водорода и гелия с энергией 0.1-25 МэВстатья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Булгаков Ю.В., Зарицкая В.А., Кузнецов Н.В., Шульга В.И., Яценко Л.А.
- Журнал: Поверхность. Физика, химия, механика
- Номер: 2
- Год издания: 1990
- Первая страница: 90
- Последняя страница: 95
- Аннотация: Методом моделирования на ЭВМ выполнен расчет профилей радиационных дефектов в Si и GaAs, облученных мононаправленным и моноэнергетическим пучком ионов H и He в интервале энергий 0.1-25 МэВ. Рассчитаны профили радиационных дефектов в Si, облученном ионами He с энергией 5 МэВ от протяженного радиоизотопного источника.
- Добавил в систему: Шульга Владимир Иванович