Аннотация:Исследовано процесс возникновение лазерно-индуцированной столбчатой структуры на поверхности c-Si и mc-Si под действием наносекундных импульсов Nd:YAG лазера (532 нм) в атмосфере диоксида углеродаи в вакууме. Получены образцы текстурированных пластин mc-Si размером 20×20 мм c типичной столбчатой структурой (аспектное отношение ≥ 3) и полным отражением ниже 3 %.