|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
INVESTIGATION OF THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON BY THE TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY METHODстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: BUTORIN O.V., KAZANSKII A.G.
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 22
- Номер: 1
- Год издания: 1988
- Первая страница: 52
- Последняя страница: 53
- Добавил в систему: Казанский Андрей Георгиевич