|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
LOW-TEMPERATURE ELECTRICAL-CONDUCTIVITY OF SILICON IMPLANTED WITH PHOSPHORUS AND ANTIMONY IONSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Abramov V.V., Kul'bachinskii V.A., Kytin V.Gg, Timofeev A.B., Ul'yashin A.G.
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 26
- Номер: 5
- Год издания: 1992
- Первая страница: 495
- Последняя страница: 497
- Добавил в систему: Кытин Владимир Геннадьевич