|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Bias voltage dependent shift of the atomic-scale structure of a Ge(111)-(2 x 1) reconstructed surface measured by low temperature scanning tunneling microscopyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Arseyev P.I., Maslova N.S., Panov V.I., Savinov S.V., Van_Haesendonck C.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 85
- Номер: 6
- Год издания: 2007
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 277
- Последняя страница: 282
- Добавил в систему: Савинов Сергей Валентинович