Influence of Formation Conditions on Structure and Properties of Paramagnetic Centers in Polymorphous Silicon Filmsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 марта 2017 г.
Аннотация:Парамагнитные свойства двух серий тонких пленок полиморфного кремния, полученных методом PECVD при варьировании давления газовой смеси и температуры подложки, изучены методом ЭПР. Впервые в указанных образцах был зарегистрирован сигнал EPR с главными значениями g-тензора: g1 = 1.9984, g2 = 1.9890, g3 = 1.9790, который на основании полученных величин g-фактора можно приписать электронам, захваченным в хвост состояний зоны проводимости. Энергия активации электронного перехода из хвоста в зону проводимости составляет, согласно нашим оценкам, 40 мэВ.
DOI 10.1007/s00723-016-0772-x