Photoacoustic spectroscopy of porous siliconстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

[1] Photoacoustic spectroscopy of porous silicon / A. N. Obraztsov, V. Y. Timoshenko, H. Okushi, H. Watanabe // Semiconductors. — 1997. — Vol. 31, no. 5. — P. 534–536. The results of a photoacoustic spectroscopy investigation of the optical absorption in porous-silicon films in the range 300-1500 nm are reported. It was found that the fundamental absorption edge due to the porous layer lies in the range 350-500 nm for the experimental samples. It was determined from the dependence of the photoacoustic signal on the light modulation frequency that the thermal conductivity of porous silicon is 0.25 x 10(-3) W/cm.deg. (C) 1997 American Institute of Physics. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть