RAMAN LIGHT-SCATTERING INVESTIGATION OF STRUCTURAL DISORDER OF INP SINGLE-CRYSTALS IMPLANTED WITH BE+ IONSстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Raman light-scattering investigation of structural disorder of inp single-crystals implanted with be+ ions / A. MIKULENOK, A. OBRAZTSOV, V. PIROGOV et al. // Soviet Physics Semiconductors-Ussr. — 1991. — Vol. 25, no. 10. — P. 1085–1086. An investigation was made of the Raman scattering of light in InP single crystals with different crystallographic orientation of the surface and implanted with Be+ ions. Changes in the parameters of the Raman spectra indicated that implantation resulted in gradual disordering of the surface region of a crystal and produced a layer consisting of microcrystals.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть