EFFECT OF THE SURFACE-POTENTIAL ON THE RAMAN-SCATTERING OF LIGHT IN INDIUM-PHOSPHIDEстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Effect of the surface-potential on the raman-scattering of light in indium-phosphide / A. OBRAZTSOV, A. GOMANYUK, A. MIKULENOK, F. TERRA // Semiconductors. — 1995. — Vol. 29, no. 11. — P. 1087–1089. The results of investigations of n-InP samples with different crystallographic orientation of the surface are presented: (100)-n=(4.5-6). 10(16)cm(-3), (110)-n=(2-3). 10(16)cm(-3) (111)-n=(1.3-1.5). 10(16)cm(-3). The dependence of the intensity and shape of the Raman lines on the intensity of the exciting laser radiation was measured. The data obtained are explained on the basis of the model of coupled plasmon-phonon oscillations. It is shown that the effectiveness of the plasmon-phonon interaction depends on the magnitude of the surface potential, which is in turn determined by the treatment of the surface of the semiconductor plates, including mechanical polishing, additional chemical etching, and deposition of a Si3N4 layer. (C) 1995 American Institute of Physics.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть