Silicon diamond interface sand structureстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Silicon diamond interface sand structure / A. N. Obraztsov, M. B. Guseva, A. G. Petrukhin, A. V. Petrov // Journal of the Electrochemical Society. — 1996. — Vol. 143, no. 3. — P. 1112–1114. The properties of Si-chemical vapor deposited (CVD) diamond interface were investigated by a measuring of CVD diamond films charging under illumination (in a photon energy region from 1.0 to 5.8 eV) as a result of photoexcited electrons and holes injection from silicon substrate and their trapping in a diamond layer. The photocharging was estimated from a change in the dark values of the contact potential difference which was obtained by a dynamic capacitor (Kelvin) method. Three characteristic energy thresholds for electron and hole photoinjection were obtained: 2.8, 3.8, and 5.4 eV. The band model of silicon-diamond interface was proposed on the basis of the experimental data. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть