Electrochemical formation and optical properties of porous gallium phosphideстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Electrochemical formation and optical properties of porous gallium phosphide / A. V. Zoteev, P. K. Kashkarov, A. N. Obraztsov, V. Y. Timoshenko // Semiconductors. — 1996. — Vol. 30, no. 8. — P. 775–777. The mechanisms of porous gallium phosphide (por-GaP) formation in an electrochemical anodizing reaction in hydrofluoric acid based solution are studied. Scanning electron microscopy data show a microporous structure of por-GaP. The Raman scattering and photoluminescence spectra are investigated as a function of the anodizing current density. It is found that the edge luminescence and Raman scattering become stronger and the phonon spectrum changes in por-GaP. These changes are attributed to spatial confinement in the submicron elements of the porous structure. (C) 1996 American Institute of Physics.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть