Comparative characterization of chemical vapor deposition diamond films by scanning cathodoluminescence microscopyстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Comparative characterization of chemical vapor deposition diamond films by scanning cathodoluminescence microscopy / A. N. Obraztsov, G. V. Saparin, S. K. Obyden, I. Y. Pavlovsky // Scanning. — 1997. — Vol. 19, no. 7. — P. 455–458. Thin diamond films grown by chemical vapor deposition (CVD) process on Si substrates under similar deposition conditions in the microwave-excited (MW) and direct current (DC) plasma discharges were taken for comparative examination. Raman spectra, photoluminescence (PL) spectroscopy, and color cathodoluminescence scanning electron microscopy (CCL-SEM) have been used for characterization of the structure and composition features of polycrystalline diamond films. No essential difference in Raman spectra for the CVD diamond films was detected. A significant difference was revealed in the PL spectra and in CCL-SEM images.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть