Diamond seed incorporation by electrochemical treatment of silicon substrateстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Obraztsov A. N., Pavlovsky I. Y., Timoshenko V. Y. Diamond seed incorporation by electrochemical treatment of silicon substrate // Diamond and Related Materials. — 1997. — Vol. 6, no. 11. — P. 1629–1632. Ultrafine diamond powders (UFD) were incorporated into Si substrates by electrochemical etching in a HF:C2H5OH:H2O solution containing UFD. Produced by this method, thin layers have shown optical and photoluminescence properties being typical for porous silicon. On the treated Si wafers a significant increase of the diamond nucleation density (compared with the substrates prepared by a common scratching method and anodized in electrolyte without UFD) has been reached. Another important advantage was a possibility to decrease significantly the substrate temperature (down to 500 degrees C) for CVD diamond deposition due to a low thermal conductivity of the porous silicon layer. (C) 1997 Elsevier Science S.A. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть