A device for testing a fast nanographite photodetector at high temperaturesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] A device for testing a fast nanographite photodetector at high temperatures / G. M. Mikheev, R. G. Zonov, A. N. Obraztsov, D. G. Kalyuzhny // Instruments and Experimental Techniques. — 2008. — Vol. 51, no. 3. — P. 456–461. The results of tests of a fast photodetector based on a nanographite film grown on a silicon substrate are presented. The temperature dependence of the optoelectric signal from the photodetector in the range 300-800 K has been studied under the vacuum conditions. It has been shown experimentally that, when the temperature increases from 300 to 625 K, the photodetector's sensitivity decreases by approximately 30%. When the temperature increases to higher values, the optoelectric-signal amplitude drops linearly and is halved at T = 740 K as compared to room temperature. Extrapolation of the experimental data shows that the optoelectric response of the photodetector disappears at T > 1000 K. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть