Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si:Hстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:Исследованы зависимости стационарной фотопроводимости в нелегированных пленках a-Si:H от температуры и интенсивности освещения. Обсуждены механизмы образования и аннигиляции фотоиндуцированных оборванных связей, определяющие наблюдаемые особенности поведения стационарной фотопроводимости.