Laser-Induced Defect Formation and Phase Transition in III-V-Compoundsстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Laser-induced defect formation and phase transition in iii-v-compounds / P. K. Kashkarov, V. Y. Timoshenko, N. G. Chechenin, A. N. Obraztsov // Laser Physics. — 1992. — Vol. 2, no. 5. — P. 790–794. The laser-induced phase transitions in III-V-compounds were investigated by time resolved reflectivity, Raman scattering, and Rutherford back-scattering techniques. Our results show that intensive evaporation of the V-component from the laser melted crystal can initiate the solidification of the melt directly from the surface. This layer is polycrystalline with (110) primary orientation, and is rather defective. The defect concentration is maximal at the border where the recrystallization fronts moving from the surface and from the substrate meet.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть