Fluid modeling for plasma-enhanced direct current chemical vapor depositionстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 февраля 2016 г.

Работа с статьей


[1] Fluid modeling for plasma-enhanced direct current chemical vapor deposition / R. R. Ismagilov, I. R. Khamidullin, V. I. Kleshch et al. // Journal of Nanophotonics. — 2016. — Vol. 10, no. 1. — P. 103598. Abstract.В  A self-consistent continuum (fluid) model for a direct current discharge used in a chemical vapor deposition system is developed. The model is built for a two-dimensional axisymmetric system and incorporates an electron energy balance for low-pressure Ar gas. The underlying physics of the fluid model is briefly discussed. The fluid and Poisson equations for plasma species are used as the model background. The plasma species considered in the model include electrons, Ar+ ions, and Ar atoms in ground and excited states. Nine reactions between these species are taken into account, including surface reactions. The densities of various plasma species as well as the relative contributions of generation and annihilation processes for electrons, ions, and atoms are calculated. The concentrations for electrons and Ar+ ions on the order of xxx are obtained for the plasma in the computer simulations. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть