ИСТИНА

Данная НИР направлена на разработку физических основ и развитие новой технологии получения ВТСП проводов на гибких кристаллических нитях-подложках с необходимой кристаллической структурой и на аморфных нитях-подложках. В рамках проекта планируется развитие способов структурной, морфологической и электрической характеризации получаемых образцов. В педагогическом плане проект направлен на подготовку кадров для зарождающегося в России стратегически важного высокотехнологичного сектора экономики.

В ходе выполнения данного этапа проекта получены следующие результаты: 1. Выполнены аналитический обзор информационных источников и поиск технических решений в области материалов и компонентов для получения высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) проводов 3-го поколения. При этом использовалось около 150 источников информации, включая рубрики редакции Международной патентной классификации МПК2012. 2. Методом минипьедестала с лазерным нагревом изготовлены пробные образцы кристаллических нитей- подложек из окиси алюминия (сапфир) длиной 50 -70 мм и стабилизированной иттрием окиси циркония (фианит) длиной порядка 30 мм. 3. Изучены эффективные способы создания текстурированных буферных слоев MgO методом импульсного лазерного осаждения с помощью ионного ассистирования для получения высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) проводов 3-го поколения на аморфных нитях-подложках. 4. Собрана информация о физико-химических процессах технологии получения кристаллических волокон-подложек. Проведены эксперименты по оптимизации скорости роста сапфировых и фианитовых ограненных волокон-подложек. Найдено, что оптимальные величины скорости роста для фианитовых волокон имеют значения 50 – 70 мм/час. 5. Найден способ проведения рентгеновских измерений для неразрушающего контроля ориентации и структурного совершенства выращенных кристаллических нитей-подложек. 6. Отработана методика анализа качества поверхности плоских фасеток кристаллических волокон-подложек с помощью атомно-силовой микроскопии. Показано, что среднее значение шероховатости волокна на фасетке составляет около 7 нм. 7. Разработана методика нанесения и получены буферные покрытия CeO2 на фасетированной поверхности коротких образцов кристаллических волокон-подложек. 8. Для работ по проекту в 2013 году разработан лабораторный технологический регламент формирования текстурированного слоя MgO методом импульсного лазерного осаждения с помощью ионного ассистирования. 9. Результаты НИР успешно внедрены в программы курсов «Процессы в наноструктурах и электронных устройствах на их основе», «Электродинамика сверхпроводников», «Основы физики конденсированного состояния вещества» для студентов НОЦ МГУ по нанотехнологиям.