ИСТИНА

Формула полезной модели: 1. Полевой транзистор, содержащий исток, выполненный в виде пленки из металла или высоколегированного полупроводника с металлическим типом проводимости (n+-тип), вертикальный проводящий канал, выполненный в виде пленки из наноструктурированного углерода с высокой анизотропией проводимости, сток и затвор, выполненные в виде металлических полосок, диэлектрически изолированных от истока или стока, отличающийся тем, что вертикальный проводящий канал ориентирован перпендикулярно подложке, контакт между истоком и вертикальным проводящим каналом - запорный (инжекционный), а между вертикальным проводящим каналом и стоком - омический.