ИСТИНА

Изобретение относится к области физики, в частности к методикам модуляции интенсивности электромагнитного излучения видимого и ближнего ИК диапазонов посредством приложения магнитного поля. Изобретение может быть использовано для модуляции интенсивности света в оптоволоконной и интегральной оптике, биосенсорике и фотонике. Сущность изобретения: способ модуляции света включающая в себя создание магнитоплазмонного кристалла на основе периодически наноструктурированной диэлектрической матрицы, с пространственным периодом d, последующее напыление на нее слоев ферромагнитных и благородных металлов, а также диэлектриков, освещение магнитоплазмонного кристалла светом и приложение магнитного поля, при этом модуляция интенсивности ТМ-поляризованного отраженного света осуществляется с помощью периодически наноструктурированной пленки ферромагнитного металла толщиной h=50-200 нм, в качестве источника света используется ТМ-поляризованное электромагнитное излучение длинной волны λ в диапазоне длин волн от 400 нм до 3 мкм, падающее на поверхность магнитоплазмонного кристалла под углом θ, соответствующим возбуждению поверхностных плазмон-поляритонов, при этом, переменное магнитное поле прикладывается в геометрии экваториального магнитооптического эффекта Керра, и величина интенсивности отраженного света меняется на относительную величину δ=(Ι(Η)−Ι(−Η))/Ι(0) при приложении магнитного поля, где H — величина напряженности приложенного магнитного поля, I(H) — величина интенсивности отраженного света при приложении магнитного поля величиной H, I(0) – величина интенсивности отраженного света без приложения магнитного поля.