ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Диссертационная работа посвящена экспериментальному выявлению нелинейно-оптических и электрооптических свойств экситонов, ответственных за обнаруженные особенности процессов самодифракции, возникающих при резонансном одно- и двухфотонном возбуждении основного электронно-дырочного перехода в полупроводниковых коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS одним, двумя и тремя ультракороткими лазерными лучами. 1. Обнаружена самодифракция двух ультракоротких импульсов лазера на сформированной ими нестационарной одномерной дифракционной решетке при однофотонном резонансном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS, сопровождаемая самодифракцией на наведенном канале прозрачности. При однофотонном резонансном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS канал прозрачности и наведенная дифракционная решетка возникают за счет сосуществующих и конкурирующих процессов насыщения основного электронно-дырочного перехода и длинноволнового штарковского сдвига спектра экситонного поглощения. 2. Обнаруженная самодифракция двух ультракоротких лазерных импульсов при двухфотонном резонансном возбуждении экситонов в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS объяснена дифракцией на наведенной ими нестационарной одномерной фазовой дифракционной решетке, возникающей за счет значительного нелинейного изменения коэффициента преломления в поле возбужденной стоячей волны при четырехволновом взаимодействии в прозрачной нелинейной среде с большим значением кубической нелинейности. Кубическая зависимость интенсивности самодифрагированных импульсов от интенсивности возбуждающих импульсов при двухфотонном возбуждении квантовых точек CdSe/ZnS объяснена процессом четырехволнового взаимодействия. Обнаруженная зависимость интенсивности самодифрагированных импульсов от интенсивности возбуждающих импульсов выше 5-ой степени может быть объяснена ростом величины двухфотонного поглощения (при приближение энергии двух фотонов лазерного излучения к точному резонансу экситонного поглощения за счет красного штарковского сдвига экситонного поглощения), сопровождающегося ростом поглощения на двухфотонно возбужденных носителях, приводящим к образованию, помимо фазовой, наведенной амплитудной дифракционной решетки. 3. Обнаруженная самодифракция трех лазерных лучей, пересекающихся в кювете с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, при однофотонном резонансном возбуждении экситонов объяснена их дифракцией на наведенной динамической двумерной дифракционной решетке (режим двумерного фотонного кристалла), которая образуется за счет сосуществующих и конкурирующих процессов насыщения основного электронно-дырочного (экситонного) перехода и длинноволнового штарковского сдвига спектра экситонного поглощения.