ИСТИНА

Разработаны модели и построены алгоритмы учета двух основных артефактов АСМ: эффектов уширения и занижения высоты профиля одиночных объектов, адсорбированных на поверхность твердой подложки. Предложена методика определения упругих параметров отдельного микрообъекта. С позиции теории контактных деформаций проанализирован механизм АСМ- визуализации атомной структуры поверхности. Апробирована методика иммобилизации на поверхности подложки свободных молекул однонитевой вирусной РНК в расправленном состоянии. Методом АСМ визуализированы стадии процесса высвобождения РНК из белковой оболочки частиц вируса табачной мозаики и подтверждена асимметрия протекания этого процесса относительно двух концов молекулы. Методом АСМ исследована динамика процесса компактизации молекулы ДНК T4 в водно-спиртовых средах, визуализированы молекулы, находящиеся на различной стадии компактизации. Обнаружено, что частично компактизованные структуры включают тороидальные участки, образованные отдельными витками молекулы. По результатам измерений АСМ восстановлена реальная геометрия компактных структур и рассчитан их молекулярный состав. По результатам АСМ-исследований структуры ЛБ пленок показана перспективность метода горизонтального осаждения монослоев на подложку. Для ряда тонкопленочных покрытий получено молекулярное разрешение и определены параметры решетки с погрешностью в единицы процентов. Показано, что структура пленки определяется совокупностью факторов: принципом плотной упаковки углеводородных цепей, значением площади полярной группы на поверхности субфазы и влиянием подложки.