Аннотация:ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
1. По данным КРС определено отношение объема кристаллической фазы к объему аморфной фазы, которое составляет 1.2 для образцов, подвергнутых БТО, и 1.3 для образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Одновременно были получены значения средних размеров nc-Si в этих образцах, которые составляют 4.6 нм и 4.0 нм соответственно. Эти оценки находятся в хорошем соотношении с данными, полученными из анализа спектров ФЛ.
2. По данным ИК – спектроскопии найдены эффективные показатели преломления и толщины исследуемых образцов.
3. С помощью модели эффективной среды Бруггемана найдены факторы заполнения исследуемых образцов. Отношение объема кристаллической фазы к объему аморфной фазы совпадает с данными по КРС. Определена пористость образцов, которая достигает 90% для образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению.
4. Определены удельные проводимости исследуемых образцов. Максимальное и минимальное значения отличаются на 4 порядка. Столь сильное изменение проводимости объясняется изменением пористости от 8% до 90%, что приводит к росту потенциальных барьеров между нанокластерами, ограничивающих транспорт зарядов.
5. Обнаружена эффективная ФЛ образцов, подвергнутых БТО и последующему химическому травлению. Этот эффект объясняется излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных в nc-Si из-за наличия высоких потенциальных барьеров. Обнаружено, что безизлучательная рекомбинация на поверхностных дефектах подавляется за счёт водородной пассивации. Наличие больших потенциальных барьеров препятствует переносу носителей заряда и делает невозможным возбуждение ЭЛ в исследуемых структурах.