Описание:Спецкурс для студентов кафедры физики полупроводников и смежных специальностей.
(5 курс,36 часов, экзамен).
Поглощение, отражение, преломление, излучение, рассеяние света в полупроводниках. Взаимодействие света с электронами в зонах проводимости и валентной, с примесями, с колебаниями решетки. Электродинамическое введение. Квантово - механическое введение. Межзонные оптические переходы с энергией кванта света, большей ширины запрещенной зоны. Мнимая часть диэлектрической проницаемости для переходов между состояниями, описываемыми функциями Блоха. Критические точки Ван-Хова. . Оптические переходы на краю запрещенной зоны.
Особенности зонной структуры для различных полупроводников. Поглощение для прямых разрешенных межзонных переходов. Матричный элемент в модели Кейна. Сравнение экспериментов с теорией. Эффект Бурштейна-Мосса в поглощении. Особенности поглощения в узкозонных ПП типа АIVВVI, АIIВVI. Коэффициент поглощения для непрямых межзонных переходов. Влияние экситонных эффектов. Собственная - межзонная и экситонная - излучательная рекомбинация. Полупроводниковые лазеры.
Оптические явления, обусловленные свободными носителями тока. Плазменный резонанс. Поглощение света на свободных носителях. Оптические явления, обусловленные колебаниями решетки.
Кривые дисперсии для фононов в кубических кристаллах. Однофононный резонанс. Двухфононные переходы. Рассеяние света колебаниями решетки. Влияние примесей на оптические свойства полупроводников. Случай водородоподобных центров. Поглощение для переходов "примесь - ближайшая зона". Примесные спектры в далекой ИК и субмиллиметровой областях. Примесное поглощение близкое к межзонному; условия для прямых и непрямых переходов. Связанные экситоны. Межпримесная излучательная рекомбинация. Оптические явления во внешних полях. Эффект Франца-Келдыша.