ИСТИНА

Мемристоры представляют собой резисторы с памятью, меняющие сопротивление в зависимости от пропущенного заряда. Существование мемристоров было предсказано в 1971 году, но только в 2008 году был создан первый неорганический мемристор на основе диоксида титана. В настоящее время ведется разработка различных типов мемристоров, как неорганических, так и органических, в том числе на основе полианилина, однако механизмы, обеспечивающие мемристивность, всё ещё остаются недостаточно изученными. Нами было изучено поведение плёнок полианилина при приложении напряжения в водных и неводных (ацетонитрил) средах, содержащих протонные кислоты (HCl) и соли лития (LiClO4), соответственно. Спектроэлектрохимические измерения проводились параллельно с циклической вольтамперометрией и измерениями сопротивления при приложении постоянного и переменного напряжения. Установлено, что полианилин обладает мемристивностью, то есть способен к обратимому изменению сопротивления при пропускании заряда и сохранению текущего значения сопротивления после отключения тока. Изменение сопротивления полианилина при приложении напряжения определяется обратимым изменением его степени окисления. При этом отсутствие резких скачков сопротивления связано с тем, что в структуре полианилина могут сосуществовать фрагменты с разной степенью окисления, т.е. полианилин может быть рассмотрен как блок-сополимер, состоящих из блоков с разной степенью окисления. Относительная стабильность различных окислительно-восстановительных состояний полианилина позволяет сохранять значение сопротивления неизменным после отключения тока и обеспечивает эффект памяти. При изучении полианилина, в котором протоны заменены на катионы лития в ацетонитриле, мемристивности не наблюдается. Таким образом, можно заключить, что наличие протонов необходимо для функционирования мемристоров на основе полианилина.