|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Особенности локальной плотности состояний двумерного электронного слоя вблизи кластеров Со на поверхности InAs(110) доклад на конференции
- Авторы: Савинов С.В., Маслова Н.С., Панов В.И., Van_Haesendonk C., Музыченко Д.А., Schouteden K.
- Международная Конференция (Симпозиум) : International Meeting "Low Dimensional Systems" (LDS-2008)
- Даты проведения конференции: 2008
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Ростов-на-Дону - п. Лоо, 5-9 сентября 2008 г.
-
Аннотация доклада:
Методами низкотемпературного сверхвысоковакуумного СТМ/СТС изучена электронная структура квазидвумерного электронного слоя на поверхности (110) полупроводникового соединения InAs, образованного напылением 0.02 ML атомов Co на поверхность. В спектрах туннельной проводимости обнаружены пики, соответствующие 2D подзонам размерного квантования. Впервые в двумерном распределении плотности электронных состояний были обнаружены кольцевые структуры (КС) с резкими границами вокруг кластеров Со на поверхности (110) InAs. Диаметр КС при одном и том же туннельном напряжении отличается для различных кластеров и уменьшается вплоть до размеров кластера при уменьшении значения отрицательного смещения.
- Добавил в систему: Музыченко Дмитрий Анатольевич