Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015)сборник

Статьи, опубликованные в сборнике

---

• • 2015 Изменение параметров светодиодов белого свечения при длительной работе
  • Маркова С.Н., Матешев И.С., Тимонин Ю.П., Туркин А.Н., Федоренко К.С.
  • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы, с. 63-64
• • 2015 Мощный однокристальный белый светодиод
  • Коган Л.М., Гальчина Н.А., Гофштейн-Гардт А.Л., Сощин Н.П., Туркин А.Н.
  • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы, с. 81-82
• • 2015 Нобелевская премия по физике 2014 года и проблемы исследований и разработок структур и приборов на основе нитридных полупроводников
  • Юнович А.Э.
  • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы, с. 11-11
• • 2015 Оценка неоднородности встроенных электрических полей в активной области множественных квантовых ям светодиодной гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN методом спектроскопии электроотражения
  • Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В.
  • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы
• • 2015 Светодиоды белого свечения с силой света до 5000
  • Коган Л.М., Гофштейн-Гардт А.Л., Колесников А.А., Туркин А.Н.
  • в сборнике Сборник тезисов докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (GaN InN AlN 2015), место издания Физико-технический институт им. А.Ф.иоффе Санкт-Петербург, тезисы, с. 83-84